【摘 要】
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简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子
【机 构】
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中国科学院半导体研究所，半导体材料科学实验室，河北半导体研究所，砷化镓超高速集成电路研究室
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简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。
This paper briefly introduces the development of GaAs ultra-high voltage comparators at home and abroad. Designed and developed a high-performance voltage comparator with 1.0GHz clock frequency. The device uses sub-micron GaAsMESFET process technology, the voltage resolution up to 11.3mV, power consumption is only 274mw. Finally, a further improved design of GaAs as a buffer layer by low temperature molecular beam epitaxy is given.
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