用强流金属离子源研究Ti—Si化合物的形成

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利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出强流Ti离子注入单晶硅,当MEVVA源引出电压为40kV,束流密度达到100μA/cm^2,Ti离子剂量为5×10^17/cm^2,Ti离子注入单晶硅可得到C54-TiSi2的注入层,且薄层电阻低于3.0Ω/□。本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理。
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