硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析

• 作 者: 唐定平 何智兵 陈志梅 谢征微 李玲 阳志林 闫建成
• 机 构: 四川师范大学物理与电子工程学院,成都,610065中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900;中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900;四川师范大学物理与电子工程学院,成都,
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2010年6期
• 关键词: 低压等离子体增强化学气相沉积 Si掺杂辉光放电聚合物薄膜 X射线光电子能谱 傅里叶变换红外光谱

以H2、反式二丁烯(T2B)和四甲基硅烷(TMS)混合气体为工作气体,在不同TMS流量条件下,用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物(GDP)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂 GDP薄膜的化学组成结构.X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分,分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响.研究表明:薄膜中成功地掺入了Si元素;Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si-C,Si-H等键合形式存在;在TMS流量为0.5～2 mL/min(标准状态)的范围内,薄膜中Si的原子浓度为0.72%～1.35%;随着TMS流量的逐渐增加,薄膜中Si含量逐渐增大.