【摘 要】
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本文对已研制成的线阵三相多晶硅交迭栅埋沟CCD(BCCD)摄象器件的结构、原理及实验、结果做一个简要的阐述.器件的结构采用双列式独立输出,光敏元区采用n~+-n~--p结构,埋层由
【机 构】
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重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所,
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本文对已研制成的线阵三相多晶硅交迭栅埋沟CCD(BCCD)摄象器件的结构、原理及实验、结果做一个简要的阐述.器件的结构采用双列式独立输出,光敏元区采用n~+-n~--p结构,埋层由注入磷离子来实现.测试结果:器件的转移效率>99.999%.
In this paper, the structure, principle, experiment and result of linear CCD embedded buried photodetector (BCCD) device have been developed.The structure of the device adopts double-column independent output and the photosensitive cell area Using n ~ + -n ~ - p structure, the buried layer is formed by the implantation of phosphorus ions.Results: The transfer efficiency of the device is> 99.999%.
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