非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究

• 作 者: 石旺舟 欧阳艳东 俞波
• 机 构: 汕头大学物理系
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2001年2期
• 关键词: 硅基薄膜 晶格振动 红外吸收光谱 氮 氧 掺杂 制备 PECVD SiOxNy thin film lattice vibration infrared a

通过改变O和N含量研究了SiOxNy薄膜中从600到1 600 cm-1范围内的红外吸收谱特征.结果表明,起源于单一Si-O、Si-N键的吸收峰在1 105和865 cm-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对称键吸收的左右肩;对O-Si-N,其特征吸收峰位于1 036和856 cm-1处.