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通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄膜的电子注入特性，探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系.结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构，对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论.
富氮SiOxNy膜的电子注入特性
【摘 要】
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通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄膜的电子注入特性，探求薄膜的抗电子注入能力
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,信息产业部电子五所数据中心,华南理工大学机电工程系
【出 处】
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华南理工大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年2期
【基金项目】
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广东省自然科学基金
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