【摘 要】
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在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下,推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式.用于计算35GHz崩越管渡越角,与计算机模拟结果符合良好.
Considering t
【机 构】
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南京固体器件研究所,南京固体器件研究所,南京固体器件研究所
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在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下,推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式.用于计算35GHz崩越管渡越角,与计算机模拟结果符合良好.
Considering the space charge effect, diffusion effect and injection current pulse width of carriers, the transition angle expression of double-drift diode is deduced, which is used to calculate the crossing angle of 35GHz collapsible tube, which is consistent with the result of computer simulation good.
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