【摘 要】
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本文对在Si衬底上用金属-有机的化学汽相沉积法生长的GaAs外处膜中的1.04eV发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该1.04eV发射可用由V^1-AS施主及V^1-GA受主所组成的施主-受主对的复合发光来给予很
【机 构】
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中国民航学院基础课部,中国科学院长春物理研究所,中国科学院西安光学精密机械研究所
【基金项目】
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supported by the Laboratory of Excited State Processes,Changchun Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences