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我们考虑了具雪崩效应的稳态多结的半导体器件模型．利用奇异摄动方法获得了电流—电压近似曲线并分析了饱和电流产生的缘因和条件．特别是，我们指出了雪崩效应是造成饱和电流爆破的原因．同时，我们还证明了与离化率适当小时存在多个稳态解并给出几个数值例子以说明理论结果的可靠性．
具雪崩效应一维半导体稳态多结器件的分析(英文)
【摘 要】
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我们考虑了具雪崩效应的稳态多结的半导体器件模型．利用奇异摄动方法获得了电流—电压近似曲线并分析了饱和电流产生的缘因和条件．特别是，我们指出了雪崩效应是造成饱和电流爆破
【机 构】
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东南大学应用数学系
【出 处】
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Journal of Southeast University(English Edition)
【发表日期】
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1998年1期
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