InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析

• 作 者: 王继红 罗子江 周勋 张毕禅 郭祥 丁召
• 机 构: 贵州大学理学院,贵州财经学院教育管理学院,贵州师范大学物理与电子科学学院
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2013年04期
• 关键词: InAs薄膜 分子束外延 反射高能电子衍射 扫描隧道显微镜 表面重构
• 基金项目: 国家自然科学基金(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);2010年度贵州财经学院博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金([2012]001号)

利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相。