【摘 要】
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三家日本微电子制造商在无线基站用GaN基晶体管方面取得了新进展。位居该项技术开发前列的富士通公司称,他们已完善了一项低成本制造工艺,可使GaN HEMT进入商业用途。他们采
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三家日本微电子制造商在无线基站用GaN基晶体管方面取得了新进展。位居该项技术开发前列的富士通公司称,他们已完善了一项低成本制造工艺,可使GaN HEMT进入商业用途。他们采用只用于制造LED的导电衬底来制造GaN HEMT,从而使得该器件的制造成本只有常规制造成本的三分之一。
Three Japanese microelectronics makers have made new advances in GaN-based transistors for wireless base stations. Fujitsu, which ranks at the forefront of the technology development, said they have completed a low-cost manufacturing process that would make GaN HEMT commercially viable. They make GaN HEMTs using a conductive substrate that is only used to make LEDs, making the device one-third the cost of conventional manufacturing.
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