InP材料直接键合技术

• 作 者: 李宁 韩彦军 等
• 机 构: 集成光电子学国家重点实验室,清华大学电子工程系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年9期
• 关键词: 直接键合 半导体激光器 磷化铟 半导体材料 direct wafer bondingInPsemiconductor laser
• 基金项目: 国家自然科学基金 ( 96 5 2 5 40 7,6 9896 2 6 0 -1) ,,国家“八六三”高技术计划项目 ( 86 3-30 7-0 4-0 6 ,86 3-30 7-11-3( 0 2 ) ),,“九七三”国家重点基础研究发展规划 ( G2 0 0 0 -0 3-6 6 0 1)资助项目~~

研究了InP/InP的直接键合技术，给出了详细的InP/InP键合样品的电 特性随健合工艺条件变化的数据，在低于650℃的键合温度下实现了InP/InP大面积的均匀直接键合，获得了与单晶InP衬底相同的电特性和机械强度，在器件的键合实验中也获得了成功，在InGaAsP/InP多量子阱激光器结构的外延面上键合p-InP衬底后制作的激光器激射特性良好。