【摘 要】
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提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理 .分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显 ,但当施加在栅极电压达到 3V时 ,随着ω/ωT
【机 构】
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中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心 北京100029,北京100029,北京100029
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提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理 .分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显 ,但当施加在栅极电压达到 3V时 ,随着ω/ωT 比值的增加 ,MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显 .同时详细分析了有源像素 (APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路
The principle of gate-induced noise of a MOSFET transistor in a CMOS image sensor pixel is proposed. The analysis shows that the gate-induced noise ratio of the MOSFET operating in a strong inversion region is significantly higher than that of the subthreshold region. However, when the gate voltage reaches 3V, ω / ωT ratio, the gate-induced noise ratio of the MOSFET working in the subthreshold region is more obvious than that of the strong inversion region, and the effects of the gate induced noise of the RESET transistor in the active pixel (APS) are analyzed in detail. Inductive noise circuit
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