【摘 要】
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采用电子束热蒸发技术制备了ZnSe薄膜,研究了532nm波长的不同能量(2mJ、2.5mJ、3.0mJ)、不同脉冲数(3、10、15)激光诱导前后,ZnSe薄膜的透射率、折射率、消光系数、损伤
【机 构】
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西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室陕西西安710021
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采用电子束热蒸发技术制备了ZnSe薄膜,研究了532nm波长的不同能量(2mJ、2.5mJ、3.0mJ)、不同脉冲数(3、10、15)激光诱导前后,ZnSe薄膜的透射率、折射率、消光系数、损伤阈值(LIDT)的变迁.研究结果显示,在能量为2.0mJ激光辐照后,ZnSe薄膜折射率提高,透射率下降.相比较能量为2.5mJ、3.0mJ激光辐照,在能量为2.0mJ激光辐照后折射率提高最明显,由2.4894提高到2.5016.
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