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本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述了硅氢键断裂与氢致缺陷形成过程。
氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究
【摘 要】
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本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述
【机 构】
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中国科学院物理研究所,中国科学技术大学,天津大学一九八三年毕业生
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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1984年7期
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