论文部分内容阅读
采用脉冲激光沉积技术，在Al2O3衬底上生长GaN薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响。研究表明，在750℃的沉积温度时，GaN薄膜的结晶质量较高；在20Pa以下的沉积气压下，GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。