金属夹层对Ge／GaAs（100）能带偏离影响的研究

• 作 者: 徐彭寿 朱警生
• 机 构: 中国科技大学国家同步辐射实验室,中国科技大学结构分析开放实验室
• 出 处: 真空科学与技术
• 发表日期: 1996年2期
• 关键词: 金属夹层 半导体 异质结 能带偏离 砷化镓 锗
• 基金项目: 国家教委博士点专项科研基金

用光电发射的方法研究了碱金属Ｎａ和碱土金属Ｍｇ对Ｇｅ．ＧａＡｓ（１００）异质结构形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Ｎａ和Ｍｇ的薄夹层可使Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的价带偏离分别增加０．１９和０．１８ｅＶ。通过Ｎａ，Ｍｇ和Ａｌ夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。