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选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备的碳化硅（Si C）薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术中反应室压强、偏压射频（BRF）功率、O2比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性。实验结果表明：BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性,各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率〉反应室压强〉O2比例,并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理。