【摘 要】
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本文讨论了衬底纯度对GaAs MESFET短沟道效应的影响。高纯衬底采用MOCVD生长的非掺杂的缓冲层,而低纯衬底则使用注碳离子和(或)注氧离子的衬底。当沟道下面注入碳离子和(或)
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本文讨论了衬底纯度对GaAs MESFET短沟道效应的影响。高纯衬底采用MOCVD生长的非掺杂的缓冲层,而低纯衬底则使用注碳离子和(或)注氧离子的衬底。当沟道下面注入碳离子和(或)氧离子时,阈值电压强烈地改变。衬底不纯时,短沟道效应便被很好地抑制住了。
This article discusses the effect of substrate purity on the short-channel effect of GaAs MESFETs. High-purity substrates use MOCVD grown undoped buffer layers, while low-purity substrates use carbon-filled and / or oxygen-implanted substrates. When carbon ions and / or oxygen ions are implanted below the channel, the threshold voltage strongly changes. When the substrate is impure, the short channel effect is well suppressed.
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