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本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（HEMTs)AI0.30Ga0.70As/In0.15Ga0.85As/GaAs挑电流谱研究。实验观察到了n＝1重空穴子带到n＝1电子带和n＝2电子子带的激子吸收峰以及GaAs本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论。