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论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性。接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等,采用适当的ESD保护技术,1.2μm CMOS集成电路的ESD能力可以达到2000V。
输入保护设计典型应用
【摘 要】
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论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性。接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等,采用适当
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2009年1期
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