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一性原理分别对掺杂的Bi-2212高温超导材料以及高压下的H2S分子中各元素的分波态密度谱（PDOS）进行了计算。根据计算结果对Bi-2212的超导转变温度Tc随掺杂含量的改变而变化，以及H2S在高压下的零电阻现象进行了分析。在Bi-2212超导材料处于最佳掺杂含量时，电子能量接近于费米面附近的超导赝能隙，从而降低了形成超导电子对所需的凝聚能，因此这些电子转变为超导电子对。另外，靠近费米面处的电子态密度在最佳掺杂量时达到最大值，即能够被诱导为库伯对的电子数量增多，在上述两方面的共同作用下，电子在较高的温度