【摘 要】
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日本东芝公司研究出一种将二枚硅片直接结合,形成一枚单晶硅片的固相外延生长技术.在硅片镜面之间,硅原子相互化学结合,形成单晶体.此外,不使用扩散、汽相外延生长,也可制作p
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日本东芝公司研究出一种将二枚硅片直接结合,形成一枚单晶硅片的固相外延生长技术.在硅片镜面之间,硅原子相互化学结合,形成单晶体.此外,不使用扩散、汽相外延生长,也可制作pn结,并可显著缩短功率器件的制造时间,提高耐压.东芝利用这一技术,试制成功漏-源极之间耐压1200V,电容25A的
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