高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管

• 作 者: 白大夫 刘训春 王润梅 袁志鹏 孙海锋
• 机 构: 中国科学院微电子研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2004年7期
• 关键词: 异质结双极型晶体管 U形发射极 自对准发射极 热处理能力 PACC 7340J EEACC 2560F 2550E 2550R heterojunction b
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP／GaAsHBT．采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz，最大振荡频率达到140GHz的频率特性．这种新结构的HBT的击穿电压达到25V，有利于在大功率领域应用．而残余电压只有105mV，拐点电压只有0．50V，使其更适用于低功耗应用．同时，还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异．