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对于JFET器件而言，沟道和顶栅是JFET器件的核心，其结构和掺杂分布将决定器件的击穿电压、夹断电压、漏极饱和电流、跨导和R等关键参数。通过对JFET器件沟道和顶栅形成过程中，其精确掺杂控制技术的研究，实现高性自目FET器件的结构要求：即器件的顶栅结深约为100nm，顶栅的浓度比沟道德浓度高一到两个数量级。