【摘 要】
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对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,模拟集成电路重点实验室,中国电子科技集团公司第二十四研究所,
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对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形分布变成双三角形分布。仿真结果表明,该器件结构的击穿电压由原有的3.6V提高到5.4V,提高了50%。
The breakdown characteristics of high frequency SiGe HBT devices were studied. With the TCAD simulation tool, the breakdown characteristics of the device after the super junction structure is introduced into the device collector region is analyzed. A SiGe heterojunction device using the split floating buried structure (SBFL) is proposed. This structure improves the device’s internal electric field distribution, the electric field distribution from the original single triangle distribution into a double triangle distribution. Simulation results show that the device breakdown voltage increased from the original 3.6V to 5.4V, an increase of 50%.
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