溅射气压对直流磁控溅射ZnO：Al薄膜的影响（英文）

• 作 者: 孙可为 周万城 黄珊珊 唐秀凤
• 机 构: 西北工业大学材料科学与工程学院
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2012年10期
• 关键词: ZNO:AL薄膜 直流磁控溅射 溅射气压 光电性质 Al-doped ZnO films direct current magnetron sputterin

采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO：Al（AZO）薄膜,溅射气压为0.2～2.2 Pa.通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针和紫外–可见分光光度计对AZO薄膜的相结构、微观形貌和电光学性质进行了表征.结果表明：薄膜的沉积速率随着溅射气压的增大而减小,变化曲线符合Keller-Simmons模型;薄膜均为六角纤锌矿结构,但择优取向随着溅射气压发生改变;溅射气压对薄膜的表面形貌有显著影响;当溅射气压为1.4 Pa时,薄膜有最低的电阻率（8.4×104 Ω·cm）