采用低温PL谱研究探测器级CdZnTe晶体

• 作 者: 李阳 介万奇 王涛 杨帆 殷子昂 陈曦
• 机 构: 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2014年02期
• 关键词: CdZnTe 晶体质量 光致发光谱 双晶X射线摇摆曲线 位错腐蚀坑密度

采用低温光致发光谱技术研究了核辐射探测器用高阻CdZnTe晶体。发现PL谱中的三个特征峰均与晶体质量有关,其中(D0,X)峰FWHM值和I DAP/I(D0,X)与晶格完整性和浅能级缺陷密度有关联,D2峰则与位错密度密切相关。采用双晶X射线摇摆曲线和位错腐蚀坑密度对此表征进行了验证。低温PL谱测试结果显示晶体质量较高的CdZnTe晶片,其探测器的能谱分辨率也相对较高。