【摘 要】
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硅埋置型毫米波系统级封装中,传统光敏BCB工艺常在沟槽处引入气泡及凹陷,导致上层金属线不连续。为减少气泡与凹陷的产生,提出一种新型涂覆工艺——＂双型三次涂覆工艺＂,即在使
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海大学通信与信息工程学院
【基金项目】
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国家重大仪器项目(2012YQ14003702)
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硅埋置型毫米波系统级封装中,传统光敏BCB工艺常在沟槽处引入气泡及凹陷,导致上层金属线不连续。为减少气泡与凹陷的产生,提出一种新型涂覆工艺——＂双型三次涂覆工艺＂,即在使用大厚度BCB的基础上,引入低粘滞性BCB,并三次涂覆BCB。采用此工艺对Ka波段低噪声放大器进行封装,发现气泡数量及凹陷程度大大减小,证明了此工艺的可行性及有效性。在25 GHz～37 GHz频段内,封装后比封装前增益减少1dB,满足高性能封装要求。
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