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以四甲基二硅氧烷（TMDSO）为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上采用射频等离子体聚合装置沉积氧化硅低表面能薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变各种参数研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）、原子力显微镜（AFM）等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角从而计算薄膜的表面能,从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能内在因素。