【摘 要】
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使用等离子注入技术对SnO2薄膜进行N离子注入改性，进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱（XPS）表征，并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（2015AA050610）,四川省支撑计划（2016GZX0272）,四川省支撑计划（2014GZ0159）
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使用等离子注入技术对SnO2薄膜进行N离子注入改性，进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱（XPS）表征，并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现，对于30nm厚的SnO2缓冲层，经过30s、10min不同时间N离子注入以后，其300-800nm波长范围透过率有所降低，而体电阻率则明显增加，特别是N离子注入10min的SnO2缓冲层，表面出现很多凹孔，呈蜂窝状结构，且对后续沉积的CdS层表面形貌产生了明显影响。Kelvin探针表征结果显示，随着N离子注入时间的延
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