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基于Arrhenius模型，对功率器件垂直导电双扩散（VDMOS）场效应晶体管的可靠性进行了评价，并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验，利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法（BLUE）对结果进行数据处理，得到其失效激活能E=0.54 eV，在偏置VDS=7.5 V，IDS=0.8 A，推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×10^6h。失效分析发现，栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。