【摘 要】
:
提出一种两层正交低气压等离子体阵列,采用数值模拟和实验方法,分析该阵列中等离子体电子密度和结构参数对X波段和垂直偏振下目标反射特性的影响.结果 表明,电磁波与正交等离子体阵列发生谐振,使得谐振处的衰减很大;改变等离子体阵列的层间距,可以激发不同的谐振模式,使同一层间距下的反射曲线上出现多个谐振频率.仿真和实验结果还可知,随着等离子体电子密度的增加,衰减峰向高频率移动;而增加等离子体阵列的层间距,衰减峰向低频率移动.研究结果可为等离子体周期性结构的设计与应用提供参考.
【机 构】
:
厦门大学航空航天学院 厦门361102;厦门大学航空航天学院 厦门361102;福建省等离子体与磁共振研究重点实验室 厦门361102;厦门大学电子科学与技术学院 厦门361005
论文部分内容阅读
提出一种两层正交低气压等离子体阵列,采用数值模拟和实验方法,分析该阵列中等离子体电子密度和结构参数对X波段和垂直偏振下目标反射特性的影响.结果 表明,电磁波与正交等离子体阵列发生谐振,使得谐振处的衰减很大;改变等离子体阵列的层间距,可以激发不同的谐振模式,使同一层间距下的反射曲线上出现多个谐振频率.仿真和实验结果还可知,随着等离子体电子密度的增加,衰减峰向高频率移动;而增加等离子体阵列的层间距,衰减峰向低频率移动.研究结果可为等离子体周期性结构的设计与应用提供参考.
其他文献
为了提高有源箝位反激(ACF)变换器的转换效率,提出基于自适应死区时间控制(ADTC)的数字控制ACF变换器设计技术.?通过副边采样检测2个原边功率管的零电压开关(ZVS)信息,实现对死区时间的自适应控制和功率管的ZVS,副边采样使采样器件的耐压要求降低.?基于CoolMOS功率管,开发ACF变换器的45?W(20?V/2.25?A)样机验证系统设计,用现场可编程门阵列(FPGA)实现数字控制.?测试结果表明,变换器在300?kHz开关频率下正常工作,在155?V直流电压输入和不同负载条件下自适应控制死区
运用随机系数回归模型对设备的退化过程进行建模,基于加速失效时间模型在退化过程分析中加入协变量的影响,并在模型中考虑产品质量问题.?运用更新回报定理建立状态监测维修和经济生产批量的整合费用模型.优化分析整合费用模型,可以得到决策变量的最优值.?通过数值案例分析,得到设备运行状态最优的预防性维修阈值、最优经济生产批量.?结果表明,随着协变量的逐渐增加,最优生产批量逐渐减小,最优预防性维修阈值没有变化.?通过敏感性分析进一步说明模型相关参数对最优解的影响.
为探究环氧玻璃钢材料在不同温度下的放气特性,以扩散放气模型为基础,建立了环氧玻璃钢材料放气速率随抽空时间变化关系的数学表达式,并结合实验数据拟合获得了其经验模型.同时,采用静态升压法对不同温度下环氧玻璃钢材料放气速率随抽空时间的变化关系进行了研究.结果 表明,温度一定时,环氧玻璃钢材料的放气速率随着抽真空时间逐渐减小;温度升高,环氧玻璃钢材料放气速率增大,且放气速率随着抽真空时间呈现出指数衰减规律.此外,采用四极杆质谱仪分析了不同温度下环氧玻璃钢材料的放气成分,放气成分以H2O为主,并含有微量的H2、CO
以12 kV/1250 A/31.5 kA真空灭弧室为研究对象,采用考虑公差设计的区间优化方法,建立灭弧室触头结构磁场特性的不确定性优化模型.以触头片开槽长度、斜槽深度、触头片开槽偏转角、触头杯座厚度为优化变量,采用区间描述设计参数的制备和测量误差,引入公差指标和区间可能度模型,将该不确定性优化模型转化为确定性优化模型.采用NSGA-Ⅱ算法,以极间中心面磁感应强度最大值和设计公差指标同时达到最大为优化目标,得到Pareto前沿非支配解集,求得最优设计参数,实现了考虑公差影响的灭弧室内部磁场优化设计.
氢在金属材料中主要做原子扩散,而在陶瓷材料中主要做分子扩散,因此渗透率相对于金属材料比较低,因此可以通过在金属材料表面溅射一层陶瓷薄膜,降低氢的扩散系数,从而起到保护基体材料的效果.本文采用高功率脉冲磁控溅射技术在316L不锈钢基体上溅射CrN薄膜.Cr靶外加直流复合脉冲式HiPIMS电源,控制基体偏压分别为100、200、300和400 V,时间为60 min,四组CrN薄膜的渗氢抑制率均超过75%,最高可达94.8%,氢原子扩散系数最高可比316L不锈钢基体低3个数量级.此外,针对高温时氮化物薄膜会因
为了将中国空气动力研究与发展中心0.6m连续式风洞最低总压运行能力由20 kPa拓展至5 kPa,提高其降速压试验能力,采用罗茨-水环泵组合抽气机组对原水环真空系统进行提升.建立了包含机组抽气效率、管路流导以及漏气率在内的风洞低真空连续抽气计算模型,与风洞试验结果进行了比较,分析了影响系统抽气性能的主要因素.结果 表明:罗茨-水环组合机组是实现连续式风洞5 kPa总压的有效途径;计算模型获得的风洞抽气降压曲线与试验测试值偏差小于10%,可用于低真空系统性能分析;设计风洞低真空系统时,宜控制抽气主管平均流速
通过中频感应熔铸方式制备了不同比例Sn元素的轮毂用Al-22Si-Cu合金,通过实验测试的手段分析了Sn含量对铝合金组织演变的影响.研究结果表明:在铝合金中形成了许多无序形态的树枝状组织.没有加入Sn元素下,铝合金内形成了间距为10.12 μm的SDAS;加入Sn元素下,铝合金发生了二次枝晶间距降低.没有加入Sn元素时,在铝合金基体中产生了许多大尺寸的片形共晶硅.对加入1.2%的Sn下铝合金形成了更细小的共晶硅,依然呈片层形态,但片层尺寸明显减小,形成了许多椭圆形态的共晶硅.Al-22Si-Cu-1.2S
采用脉冲激光沉积法制备了La0.5Ca0.5MnO3(LCMO)薄膜,然后在不同强磁场作用下进行原位后退火处理.利用XRD、FESEM和SQUID对薄膜进行微结构表征和磁特性测量.结果 显示,强磁场退火使得薄膜的面外晶格参数拉长,晶粒尺寸明显增大,同时使低温磁化强度降低.通过建立强磁场下的晶粒生长速率方程对晶粒尺寸演化机理做了分析.分析认为,强磁场引入的额外驱动力降低了LCMO薄膜的临界晶粒尺寸,有利于晶粒生长.此外,本文通过建立一个基于相分离的反铁磁-铁磁核壳模型对薄膜的磁结构演化进行了探讨.认为晶粒尺
为了得到山药切片真空干燥的最优工艺参数,以平均干燥速率Y1、单位能耗Y2、复水比Y3和白度指数Y4为试验指标,以干燥温度T、压强V和切片厚度L为影响因素进行进行Box-Behnken响应面优化试验,通过多元非线性回归分析建立各指标的数学模型,最后分别使用加权评分法和遗传算法进行多目标优化.结果 表明:多目标遗传算法优化结果更合理,得到的山药切片真空干燥最优工艺参数为:干燥温度63.76℃、压强0.0532 MPa和切片厚度2.46 mm,所对应的指标值为:平均干燥速率0.00897g/(g·min)、单位
电子枪静电聚焦特性影响电子束焊接质量,目前没有系统的理论方法计算不同型号电子枪内反映静电聚焦特性的束腰参数.通过理论分析电子枪内轴上电位分布与电子束束腰半径和位置间的映射关系,阐释电子枪静电聚焦特性;采用CST仿真平台,以某电子枪为例,设置激励源参数和边界条件,构建某电子枪静电透镜分析模型,仿真不同结构参数下电子束束腰位置和束腰截面积,结合数值分析结果,探明不同结构参数对轴上电位的影响,验证电子枪静电透镜分析模型.仿真结果为电子枪关键参数的设计和优化提供理论支撑.