氧气含量对射频磁控溅射Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

• 作 者: 林明通 陈国荣 杨云霞 肖田 陈晨曦
• 机 构: 华东理工大学材料科学与工程学院,上海广电电子股份有限公司
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 2006年5期
• 关键词: 钛酸锶钡薄膜 氧化铟锡 介电性能 射频磁控溅射 氧气含量 barium strontium titanate thin films indium tin oxi

采用射频磁控溅射法在镀氧化铟锡的Corning 1737玻璃基片上制备了用于无机电致发光显示器绝缘层的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,该薄膜厚约400 nm.研究了O2和Ar＋O2的体积比V（O2）/V（Ar＋O2）对薄膜沉积速率、结晶性和介电性能的影响.当V（O2）/V（Ar＋O2）由0增加至0.5时,薄膜的结晶取向、介电常数、介电损耗、击穿场强和漏电流密度并没有明显的规律性可循.V（O2）/V（Ar＋O2）为0.1时,薄膜的品质因子最好,其值为5 μC/cm^2.