【摘 要】
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高压大功率电力电力变换器的需求日益增加,而单个功率器件难以满足应用的需求,因此需采用器件串联的方式。宽禁带半导体器件SiC MOSFET具有高频、高耐压、高开关速度的优势,
【机 构】
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中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司,浙江大学
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高压大功率电力电力变换器的需求日益增加,而单个功率器件难以满足应用的需求,因此需采用器件串联的方式。宽禁带半导体器件SiC MOSFET具有高频、高耐压、高开关速度的优势,基于SiC MOSFET的串联变换器不仅满足高压大功率的需求,而且满足高频、高功率密度的发展趋势,但由于器件工艺的不成熟,基于纯SiC MOSFET的串联变换器成本昂贵、过载能力弱,容错率低。基于Si IGBT/SiC MOSFET混合并联器件的串联变换器具有低导通损耗、低开关损耗、高短路耐量的优势,满足高压、高频以及高功率密度的应用需
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