【摘 要】
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封面照片为MBE/FW—Ⅲ型分子束外延炉,是由中国科学院沈阳科学仪器厂与物理研究所联合研制的新型分子束外延装置。该设备采用了三室结构、空气闭锁换样、水平束源与炉温和快
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封面照片为MBE/FW—Ⅲ型分子束外延炉,是由中国科学院沈阳科学仪器厂与物理研究所联合研制的新型分子束外延装置。该设备采用了三室结构、空气闭锁换样、水平束源与炉温和快门计算机控制等新结构。外延生长室的真空度优于2×10~(-10)mmHg,可进行2英寸大片的Ⅲ—Ⅴ族化合物多层异质结材料生长。使用该设备生长的调制掺杂AlGaAs/GaAs的
Cover photo MBE / FW-Ⅲ molecular beam epitaxy furnace, is a new type of molecular beam epitaxy device jointly developed by the Shenyang Scientific Instrument Factory and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences. The device uses a new structure of three-compartment structure, air lock-in, horizontal beam source and computer control of temperature and shutter. The vacuum degree of the epitaxial growth chamber is better than 2 × 10 -10 mmHg, which can grow 2-inch large III-V compound multi-layer heterojunction materials. Modulated doped AlGaAs / GaAs grown using this device
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