【摘 要】
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根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x在(100)面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终
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根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x在(100)面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终保持短程有序,采用经验的紧束缚方法以及推广的虚晶近似,计算了亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的直接能隙与组分x间的变化关系.并把计算结果与实验及以前的理论模型进行了比较与讨论.
According to the relationship between the order parameter s and the component x of the metastable semiconductor (GaAs) _ (1-x) (Ge_2) _x under the (100) plane growth condition calculated by Kim and Stern from computer simulation Considering that the metastable semiconductors always maintain short-range order under any component condition, the metastable semiconductors (GaAs) _ (1-x) (Ge_2) _x Of the direct energy gap and the composition of the relationship between x. And the calculation results and experimental and previous theoretical models were compared and discussed.
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