电子密度对等离子体光子晶体禁带特性的影响

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从Maxwell方程出发,采用类似于量子力学Kronig-Penney模型求解周期势的方法,结合双水电极介质阻挡放电的实验结果,研究了电子密度ne对一维等离子体光子晶体禁带特性的影响。研究发现:电子密度对等离子体光子晶体光子禁带的位置和宽度均有重要的影响;等离子体光子晶体的禁带宽度随电子密度的增加而增大,增长速率为电子密度的函数;等离子体光子晶体的截止频率、光子禁带边缘频率随电子密度的增大而增大。给出了当等离子体光子晶体具有显著禁带宽度时的电子密度的理论临界值。 Starting from the Maxwell equation, the effect of the electron density ne on the forbidden band characteristics of one-dimensional plasma photonic crystals was investigated using a method similar to the Kronig-Penney model for solving the periodic potential, combined with the experimental results of the dielectric barrier discharge at the two water electrodes. The results show that the electron density has an important influence on the position and width of photonic bandgap in plasma photonic crystal. The bandgap of plasma photonic crystal increases with the increase of electron density, and the growth rate is a function of electron density. The plasma The cut-off frequency of photonic crystal, photon band gap edge frequency increases with the increase of electron density. The theoretical critical value of the electron density when the plasma photonic crystal has a significant band gap is given.
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