500℃下利用UHV／CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

• 作 者: 赵雷 左玉华 李传波 成步文 罗丽萍 余金中 王启明
• 机 构: 中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2006年1期
• 关键词: UHV/CVD 拉曼测量 光荧光 Si0.5Ge0.5 UHV/CVD Raman Measurement photoluminescence Si0.5Ge0
• 基金项目: Foundation Item： National Science Foundation of China （ No. 60336010, No. 90401001 ） and 973 Programs （ No. TG 2000036603 ）.

利用UHV／CVD系统，在一个相对较低的温度500℃下，研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系，此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3．0nm-Si0.5Ge0.5/3．4nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5／Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的，内部没有位错，其在电学和光学器件上具有潜在的应用。