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应用非微扰散射理论并考虑自发辐射，研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响，电子的角分布具有精细结构，成功地解释了Nandor等人的实验观测。
阈上 过程中光电子角分布的精细结构
【摘 要】
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应用非微扰散射理论并考虑自发辐射，研究了阈上电离过程中光电子的角分布。由于自发辐射的影响，电子的角分布具有精细结构，成功地解释了Nandor等人的实验观测。
【机 构】
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中国科学院上海光9学精密机械研究所强光光学开放研究实验室
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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2002年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (6 0 10 80 0 2 ),,重点基础研究专项经费资助课题
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