带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

• 作 者: 艾立 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣
• 机 构: 艾立(昆鸟),中国科学院研究生院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料.在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料.