新一代3.3 kV IGBT模块的开发

• 机 构: 三菱电机功率器件福岡制作所,日本,福岡,819-0192
• 出 处: 电力电子技术
• 发表日期: 2008年9期
• 关键词: 模块/平面型MOS栅轻穿透HVIGBT 软恢复高压二极管

大功率应用需要具有低功耗、高可靠性的高压IGBT(HVIGBT)模块.然而这些特性通常足相互制约的,为达到均衡的性能,三菱电机开发出一种精细半面型MOS栅轻穿通HVIGBT(FP-LPT-HVIGBT)与具有高短路承受能力的软反向恢复高压二极管(SR-HVDi)组合的新型结构.采用这种新硅片组合的新一代3.3 kV HVIGBT模块能在降低功率损耗的同时提高额定电流.