影响Y电容器击穿电压的因子探讨

• 作 者: 冯诗银 王志强 吴金珠 王学宇 王晓露
• 机 构: 广东南方宏明电子科技股份有限公司,广州市昱桥电子科技有限公司,兖矿新疆煤化工有限公司
• 出 处: 电子产品可靠性与环境试验
• 发表日期: 2020年5期
• 关键词: Y电容器 击穿电压 试验设计 因子 箱线图 方差分析 Y capacitorbreakdown voltagedesign of experimentfacto

耐电压是Y电容器的一个主要性能指标,而击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性;采用MINITAB软件DOE全因子设计方案,对Y电容器芯片相关尺寸进行研究分析,找出了对Y电容器BDV影响显著的因子。结果表明,芯片银电极留边量、芯片厚度的影响最为显著,同时,芯片直径*留边量的交互作用对Y电容器BDV影响也是不容忽略的。