分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

• 作 者: 江南 M.C.Hugon B.Agius F.Plais D
• 机 构: 东南大学电子工程系,南京,210018
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 1998年3期
• 关键词: SiO2薄膜 分布式电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 薄膜晶体管

介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺.讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响.采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法,对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究.在此基础上,还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试,并在最后给出了采用DECR SiO2的薄膜晶体管的特性曲线.