【摘 要】
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单晶硅是一种间接带隙材料,不宜制作光发射器件,故常选用如GaAs等直接带隙材料制作。但是硅材料价格低廉,工艺成熟,若能利用硅材料制成光发射器件将是非常有意义的。 据《IEE
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单晶硅是一种间接带隙材料,不宜制作光发射器件,故常选用如GaAs等直接带隙材料制作。但是硅材料价格低廉,工艺成熟,若能利用硅材料制成光发射器件将是非常有意义的。 据《IEEE EDL》杂志1991年12月报道,最近,美国科学家发现电流通过多孔性硅器件能产生光发射。多孔性硅是一种非晶结构,由于硅结构的尺寸很小,因此,直接的光复合是有可能的。
Monocrystalline silicon is an indirect bandgap material, should not be made of light-emitting devices, it is often used as GaAs and other direct bandgap materials. However, silicon materials, low prices, the technology is mature, if the use of silicon materials made of light-emitting devices will be very meaningful. According to a report by IEEE EDL magazine in December 1991, recently, U.S. scientists found that current can be emitted through porous silicon devices. Porous silicon is an amorphous structure, and because of the small size of the silicon structure, direct light recombination is possible.
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