【摘 要】
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本文报导了用国产常压ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＩｎＰ材料，研究ＧａＩｎＰ的生长特性，用光致发光，扫描电镜，Ｘ光双晶衍射对材料进行表征，发现Ｖ／Ⅲ比对ＧａＩｎＰ的光学特性有很大影响，在温度６８０℃，Ｖ／Ⅲ比为９０的条件下得到Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ外延层的光致发光
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本文报导了用国产常压ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＩｎＰ材料，研究ＧａＩｎＰ的生长特性，用光致发光，扫描电镜，Ｘ光双晶衍射对材料进行表征，发现Ｖ／Ⅲ比对ＧａＩｎＰ的光学特性有很大影响，在温度６８０℃，Ｖ／Ⅲ比为９０的条件下得到Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ外延层的光致发光谱的半高宽为２６ｍｅＶ这是目前报导的最好结果，Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ的本征载流子浓度为１．１×１０＾１５ｃｍ＾－３，晶格失配为４×１０＾
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