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在新一代功率半导体方面，A1GaN比GaN更出色。这一研究成果是美国桑迪亚国家实验室（SandiaNationalLaboratories）与美国Avogy公司联名在“APEC2016”上发表的。登台演讲的RobertJ．Kaplar公布了用AIGaN试制的功率元件的特性。
新一代功率半导体：AIGaN比GaN更出色
【摘 要】
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在新一代功率半导体方面，A1GaN比GaN更出色。这一研究成果是美国桑迪亚国家实验室（SandiaNationalLaboratories）与美国Avogy公司联名在“APEC2016”上发表的。登台演讲的RobertJ
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2016年5期
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