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考虑界面处导带弯曲，流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性，采用变分法以及简化相干势近似，研究了无限高势垒GaN／Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应，计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系。结果表明，结合能随压力的增大呈线性增加的趋势，有效质量位置的依赖性以及导带弯曲对结合能有不容忽视的影响。