【摘 要】
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用刀边法取样估算电子束斑直径一直是人们常用的方法,但由于难以得到平滑、陡峭的刀边,其分辨率一直限制在亚微米数量级。本文研究、制做了硅腐蚀光栅,并用其做取样器,用刀边
【机 构】
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中国科学院电子研究所,中国科学院电子研究所,
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用刀边法取样估算电子束斑直径一直是人们常用的方法,但由于难以得到平滑、陡峭的刀边,其分辨率一直限制在亚微米数量级。本文研究、制做了硅腐蚀光栅,并用其做取样器,用刀边法测试了DX-3 SEM电子束斑直径。实验表明用硅腐蚀光栅做刀边测试电子束斑,分辨率高于50nm。
Sampling with the knife edge method to estimate the electron beam spot diameter has been a commonly used method, but its resolution has been limited to the order of submicron because of the difficulty of obtaining a smooth, steep edge. In this paper, a silicon corrosion grating was fabricated and used as a sampler. The diameter of the DX-3 SEM electron beam spot was tested by the knife edge method. Experiments show that the use of silicon etching grating edge-tested electron beam spot, resolution higher than 50nm.
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