双栅极SOI-MOSFET的沟道均匀性对输出性能的影响研究

• 作 者: 索思卓 白鸽玲 赵伟 陈信 刘亚利
• 机 构: 有研半导体材料有限公司,北京,100088
• 出 处: 数码设计（上）
• 发表日期: 2020年8期
• 关键词: S01 MOSFET 漏极感应势垒 亚阈值斜率 Leff

本文基于仿真模拟工具MEDICI分析了双栅SOI-MOSFET的非均匀沟道厚度对器件性能的影响.通过比较形貌的沟道对应的输出电阻,亚阈值斜率和漏诱生势垒降低(DIBL),研究了通道厚度不均匀对关键电学性能的影响.仿真结果表明,部分/全耗尽型SOI MOSFET的沟道厚度无论在哪个位置产生不均匀性,都会导致输出电流降低,栅控制能力减弱.